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產品

保利協鑫是全球最大的多晶矽生產企業之一,也是全球矽片產能最大的企業,矽片年產能15吉瓦,2014年全球市占率30%。與此同時,通過技術研發和工藝革新,保利協鑫不斷推出廣受市場歡迎的“鑫單晶G系列”、高效多晶S系列(“鑫多晶S2”、“鑫多晶S3”、“鑫多晶S3+”及“鑫多晶S4”),促使光電轉換效率每6個月提升0.3-0.4個百分點,引領著國內矽片產品高效化市場的發展方向,推動電池、元件產品效率不斷攀升,滿足市場高效需求。

矽料
矽片

GCL改良西門子法多晶矽

公司通過引進國際高端裝置和科技,深化組合、集成再造,打造出了具有自主知識產權的GCL法工藝,實現了具有中國特色的多晶矽生產“綠色”製造。同時依靠自主研發並獲得國家專利的氯氫化裝置,可以將多晶矽生產過程中產生的副產物-四氯化矽全部轉化為多晶矽生產中的原料-三氯氫矽,實現物料迴圈利用及“零排放”,並大幅度降低生產成本,實現了多晶矽低成本、低能耗,高品質且環保的世界領先水準。現時高純電子級產品比例持續上升,公司在能耗、生產成本及產品品質方面已達到世界最領先水準。

矽烷流化床法顆粒矽

流化床:
中能矽業通過自主研發和中試裝置成功開發了矽烷流化床法,生產的顆粒矽產品達到電子多晶矽標準,為下游提供高品質、低成本的原料,填補了國內矽烷法製備多晶矽科技的空白,將有力推動高效太陽能電池產業的發展。
矽烷氣:
矽烷氣製備工藝專注於物料閉路迴圈,以最低能耗、最高產率獲得高純矽烷氣,不僅為矽烷流化床提供高品質原料保證,也可以單獨作為產品出售。

鑫多晶-S2矽片

鑫多晶-S2系列矽片是GCL通過對晶體生產理論的深刻理解,設計先進而獨創的熱場,開發精細的工藝,採用自產的優質矽料,在嚴格的品質控制下生產製造出來的高效矽片,將助力電池、元件客戶打造更具競爭力、更有價值的產品。

  • 獨特的晶體結構
  • 低氧、碳濃度
  • 低金屬雜質濃度
  • 低位元錯、層錯、晶界等缺陷密度
  • 均勻的雜質分佈

鑫多晶-S3矽片

鑫多晶S3基於S2平臺全面提升。熱場、工藝、材料的持續進步,賦予了鑫多晶S3更高的性能表現。

  • 效率較S2提高0.2%-0.3%
  • 效率分佈集中度進一步提升
  • 對電池工藝及輔材無特殊要求

鑫多晶 S3+矽片

鑫多晶S3+在主流用戶端的試用平均轉換效率已達到18.1%-18.2%,性能穩定,客戶評價高。

  • 電池效率平均值達到18%以上
  • 效率分佈更加集中
  • 為客戶提供更多附加價值

鑫多晶-S4矽片

“鑫多晶 S4”是保利協鑫最新一代鑫多晶產品,具備如下三方面顯著的技術特點:一是 GCL 新高效工藝高純坩堝的使用,有效解決了多晶矽片邊緣的黑邊問題,大幅降低邊緣黑邊比例,提高轉換率;二是長晶技術新平臺進一步提高了轉換效率,通過對矽片尺寸的優化設計,有效地提高了後端元件的輸出功率;三是投入量產全新的共摻雜技術,徹底解決了多晶電池片的光衰問題,為後續的 PERC 等高效工藝提供更寬廣的空間。

  • 共摻雜技術——元件光衰平均低1%
  • 黑邊缺陷改善——組件可靠性大幅提高
  • 矽片尺寸更大——更高的元件功率輸出

鑫單晶-G2矽片

“鑫單晶 G2”定位于高效矽片市場的主流應用,將為高端客戶提供最具市場競爭力的單晶產品。相較于以傳統直拉法制得的單晶產品,“鑫單晶G2”在電池製備過程中有0.5%的額外效率增益,光衰平均低1%,同時具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點,是單晶鑄錠技術取得的最新產品突破。

  • 高於G1基線1%絕對的效率提升,平均轉化效率接近直拉單晶
  • 業界領先的裝料工藝和鑄錠工藝
  • 投料量大,操作簡單,低成本
  • 單一晶向,低缺陷
  • 提供280/335W(60/72 pcs)以上組件最佳技術解決方案

N型單晶系列矽片

保利協鑫最新N型直拉單晶矽片系列產品,通過電腦類比優化熱場設計,結合工藝優化和原料、輔材品質提升,有效降低氧含量,嚴格控制缺陷,提高少子壽命,適用更高效電池技術需求。同時提供多種規格尺寸和切割方式供客戶選擇,提高元件輸出功率。

  • 行業領先的單晶生產技術,結合熱場模擬、優化和一流的切片技術
  • 自產多晶矽原料、品質穩定
  • 高少子壽命
  • 低碳、氧濃度

P型單晶矽片

擁有國內領先的單晶生長技術、單晶爐熱屏技術和一流的切片技術,採用自產優質多晶矽料,導入精益生產,嚴格推行生產現場6S、EHS管理,可向客戶提供優質高效6-8英寸單晶矽片。

  • 完整的單晶結構
  • 高少子壽命
  • 均勻的摻雜分佈
  • 低碳、氧濃度

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